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IRF7463
5000
4000
VGS = 0V,   f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd , Cds
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
SHORTED
10
8
I D = 11A
V DS = 24V
V DS = 15V
3000
2000
1000
Ciss
Coss
6
4
2
0
1
Crss
10
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
100
0
0
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
10       20       30       40       50
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
1000
100
10
1
T J = 150 ° C
T J = 25 ° C
1000
100
10
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
10us
100us
1ms
T C = 25 ° C
0.1
0.0
V GS = 0 V
0.4         0.8        1.2         1.6
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
10ms
T J = 150 ° C
Single Pulse
1
0.1             1             10
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
100
4
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
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